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本发明公开了一种LED外延结构，包括衬底以及依次层叠设置在衬底上的第一半导体层、超晶格层、发光层及第二半导体层；超晶格层包括至少一个超晶格单体，超晶格单体为依次层叠设置的SiInN层和SiInGaN层或者是依次层叠设置的AlInGaN层、S...
该专利属于湘能华磊光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湘能华磊光电股份有限公司授权不得商用。

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