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一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底；在衬底上形成源掺杂层；在源掺杂层上形成半导体柱；在半导体柱的顶部一侧，形成覆盖半导体柱顶部并包围半导体柱部分侧壁的漏掺杂层；形成包围半导体柱的部分侧壁且露出漏掺杂层的栅极结构；形成栅极结构后，...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。