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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：形成基底，所述基底包括衬底以及凸出于所述衬底的半导体柱；在所述衬底上形成源掺杂层，所述源掺杂层包围所述半导体柱的部分侧壁；形成包围所述源掺杂层露出的半导体柱部分侧壁的栅极结构，所述栅极结构露出所述半...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。