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本发明提供一种双向ESD保护器件、结构及制备方法，ESD保护结构包括至少一个ESD保护结构单元，ESD保护结构单元包括基底、N阱、第一P阱、第二P阱、第一P注入区、第二P注入区、第三P注入区、第一N注入区、第二N注入区、第一导电栅、第二导电...
该专利属于微龛(广州)半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过微龛(广州)半导体有限公司授权不得商用。

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