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本发明涉及电子器件技术领域，提供了一种用于静电防护的半导体器件，利用第一P型阱区和第一N型阱区之间、第一N型阱区和第二P型阱区之间的间隔不同，形成两个击穿电压不同的LDMOS，通过第一N型阱区的电极电连接在阳极，第一P型阱区和第二栅极结构的...
该专利属于杰华特微电子(杭州)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杰华特微电子(杭州)有限公司授权不得商用。

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