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本发明公开了一种内嵌电感的TSV结构及其制备方法。在硅衬底中刻蚀形成通孔，在通孔内部交替沉积屏蔽介质和金属电极，其中电感由多层以S形相连接的金属电极构成；在电感表面依次沉积隔离介质、铜扩散阻挡层和铜籽晶层，并电镀铜金属层，其中铜扩散阻挡层、...该专利属于复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司授权不得商用。