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本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供包括器件密集区和器件稀疏区的衬底；在衬底上依次形成第一掩膜层、第一核心层和第二掩膜层；刻蚀第二掩膜层和第一核心层，形成鳍部间隔图形；在器件稀疏区形成第一牺牲层，且第一牺牲层覆盖鳍部间隔图形；以第...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。