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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括器件区和隔离区；对基底进行第一刻蚀工艺，形成初始衬底和位于初始衬底上的多个初始鳍部，初始鳍部包括隔离区中的伪鳍部以及位于器件区的沟道鳍部；去除伪鳍部以及伪鳍部下方部分厚度的初始衬底...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。