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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上形成有层间介质层，层间介质层内形成有开口，开口内形成有初始栅极结构，初始栅极结构包括位于开口底部和侧壁上的初始栅介质层、保形覆盖初始栅介质层的初始功函数层以及位于初始功函数层露出的剩...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。