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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，所述基底上依次形成有多个沟道叠层，每一个所述沟道叠层包括牺牲层和位于所述牺牲层上的沟道层；形成横跨所述沟道叠层的栅极结构，所述栅极结构覆盖所述沟道叠层的部分顶部和部分侧壁；刻蚀所述栅极结构...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。