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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上依次形成有多个沟道叠层；形成横跨沟道叠层的伪栅结构；刻蚀伪栅结构两侧的沟道叠层，使多个沟道叠层沿伪栅结构顶部指向基底的方向上，沟道层的端部依次缩进，剩余沟道叠层与基底围成凹槽；在凹槽...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。