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本发明公开了一种倒置加热制备氧化铋纳米线薄膜的方法，创新性的利用了铋金属熔点低的特性，采用直流磁控溅射方法在倒置基底导电面上沉积铋金属薄膜，通过精确控制倒置加热温度使铋金属薄膜处于半熔融状态，并调控适宜的氧气含量，使半熔融的铋金属在重力和表...该专利属于广东省测试分析研究所(中国广州分析测试中心)所有，仅供学习研究参考，未经过广东省测试分析研究所(中国广州分析测试中心)授权不得商用。