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本发明提供一种ZnO纳米片及其制备方法，包括衬底、以及均匀分布在衬底上的ZnO纳米层，所述的ZnO纳米层的厚度在5‑20nm，尺寸小于700nm。其制备方法主要包括旋涂溶液的制备、前驱体薄膜的制备、以及高温烧结，本发明制备设备成熟，配方简单...
该专利属于五邑大学所有，仅供学习研究参考，未经过五邑大学授权不得商用。

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