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本实用新型公开了一种用于高速ADC中的输入缓冲器，包括两层叠置的输入缓冲结构；第一层输入缓冲结构包括第一MOS晶体管、第一电容、第二MOS晶体管、第二电容、第三MOS晶体管和第三电容；第二层输入缓冲结构包括第四MOS晶体管、第四电容、第五M...
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