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本发明题为“位于SOI衬底上的具有沟槽改进的电流路径的高压二极管”。本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件可包括绝缘体上硅(SOI)衬底和形成于SOI衬底上的二极管，该二极管包括阴极区域和阳极区域。该半导体器件可包括至少一个击穿电压沟槽，...
该专利属于半导体元件工业有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过半导体元件工业有限责任公司授权不得商用。

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