温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种深沟槽功率器件及其制备方法，包括：位于半导体基板上的外延层；位于元胞区的阱区内的多个沟槽栅，各沟槽栅间隔排布，各沟槽栅之间设置有源区；位于沟槽栅上层的源极电极及栅极电极，源极电极包括依次由下至上叠置的第一导电多晶硅层，第一金属...
该专利属于华润微电子(重庆)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华润微电子(重庆)有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。