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本发明涉及场效应管领域，提供一种多层外延MOS管器件及其制备方法，用于提高场效应管的耐压性能。本发明提供的一种多层外延MOS管器件，包括：在SOI衬底上，形成覆盖所述SOI衬底的第一外延层，在所述第一外延层上开垂直槽，外延填充，将槽填满；在...
该专利属于互升科技(深圳)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过互升科技(深圳)有限公司授权不得商用。

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