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本发明公开了一种应用于磁保持继电器静态特性仿真中非导磁层的模拟方法，所述方法如下：S1：建立含永磁体的磁保持继电器CAD模型；S2：测量工作磁通路径中的非导磁镀层；S3：在有限元软件中导入CAD模型，对永磁体、轭铁的尺寸进行修改，去除外表面...
该专利属于哈尔滨工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过哈尔滨工业大学授权不得商用。

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