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一种将非晶态硼基保护层应用到光纤上的方法，其中的光纤包括均由基于氧化硅的，材料制成的封于光纤包层中的光纤纤芯，上述特征在于在１０５０℃－１２５０℃的温度范围内用化学方式将汽相硼施用到上述光纤的表面，并利用氢气Ｈ↓［２］减少ＢＣｌ↓［３］。非...
该专利属于阿尔卡塔尔光纤公司所有，仅供学习研究参考，未经过阿尔卡塔尔光纤公司授权不得商用。

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