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本申请涉及了一种定点冷却SiC混合功率模块，包括内部芯片；该内部芯片包括IGBT芯片和SiC二极管；该定点冷却SiC混合功率模块还包括：上DBC基板位于内部芯片的上方；下DBC基板位于内部芯片的下方；上热沉和下热沉分别位于上DBC基板的上端...
该专利属于珠海格力电器股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过珠海格力电器股份有限公司授权不得商用。

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