温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种超导纳米线结构及其制备方法，其中，本发明利用自下而上的方式，采用侧墙技术，提供了一种超导纳米线结构的制备方法，包括：在衬底上沉积牺牲层，去除部分牺牲层，形成具有预设间距的多个剩余部分牺牲层；在每个剩余部分牺牲层表面和去除部分...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。