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本申请公开了一种用于碲镉汞pn结电学性能引出的方法、探测器芯片，包括：在内部已制备好pn结的碲镉汞晶片表面依次形成碲化镉层和硫化锌层；在硫化锌层表面形成对应于除待形成的接触孔区域以外的区域的光刻胶；以光刻胶为掩膜，通过湿法腐蚀工艺去除掉对应...
该专利属于北京智创芯源科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京智创芯源科技有限公司授权不得商用。

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