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本发明提供一种衍射环结构II类超晶格红外探测器，包括至下而上的衬底层(7)、缓冲层(6)、刻蚀终止层(5)、p区层(4)、i区吸收层(3)、n区层(2)、衍射环层(1)；衍射环层(1)与p区层(4)之间形成第一台面；p区层(4)与刻蚀终止层...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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