温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种门极沉降假晶高电子迁移率晶体管，包括一化合物半导体基板及形成于其上的一外延结构。该外延结构依序包括一缓冲层、一通道层、一肖特基层和一第一覆盖层。该肖特基层从下到上包括至少两个半导体材料的层叠区域，其中两相邻层叠区域之每一者与另一者之材料...
该专利属于稳懋半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过稳懋半导体股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。