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本发明提供的一种GaN异质结场效应晶体管芯片，包括：衬底；位于衬底上的缓冲层；位于缓冲层上主要由第一半导体层与第二半导体层组成的异质结构；位于异质结构上的源极及漏极；以及位于异质结构上源极与所述漏极之间的栅极；栅极位于第二半导体层上，栅极所...
该专利属于苏州伯嘉半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州伯嘉半导体科技有限公司授权不得商用。

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