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一种刻蚀方法和刻蚀系统,所述刻蚀方法用于以掩盖层为掩膜对被刻蚀层进行刻蚀,所述刻蚀方法包括:获得掩盖层的目标厚度,所述目标厚度为刻蚀工艺刻蚀被刻蚀层到目标深度时,对被掩盖层的刻蚀厚度;在被刻蚀层上形成具有目标厚度的掩盖层,所述掩盖层露出部分...该专利属于中芯集成电路(宁波)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯集成电路(宁波)有限公司授权不得商用。
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一种刻蚀方法和刻蚀系统,所述刻蚀方法用于以掩盖层为掩膜对被刻蚀层进行刻蚀,所述刻蚀方法包括:获得掩盖层的目标厚度,所述目标厚度为刻蚀工艺刻蚀被刻蚀层到目标深度时,对被掩盖层的刻蚀厚度;在被刻蚀层上形成具有目标厚度的掩盖层,所述掩盖层露出部分...