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本发明涉及一种石墨箔电极的制备方法，包括如下步骤：S1、配制插层试剂A和插层试剂B；S2、组成三电极体系；S3、在插层试剂A中，采用循环伏安技术进行第一步部分剥离，得到一次电化学剥离的石墨箔；S4、在插层试剂B中，采用CVA技术进行第二步深...
该专利属于肇庆学院所有，仅供学习研究参考，未经过肇庆学院授权不得商用。

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