一种石墨箔电极的制备方法及其储能应用技术

本发明专利技术涉及一种石墨箔电极的制备方法，包括如下步骤：S1、配制插层试剂A和插层试剂B；S2、组成三电极体系；S3、在插层试剂A中，采用循环伏安技术进行第一步部分剥离，得到一次电化学剥离的石墨箔；S4、在插层试剂B中，采用CVA技术进行第二步深度部分剥离，得到深度部分剥离石墨箔电极；S5、将深度部分剥离石墨箔电极清洗，备用。本发明专利技术的有益效果是：通过NO

【技术实现步骤摘要】
一种石墨箔电极的制备方法及其储能应用
本专利技术属于电化学材料领域，具体涉及一种石墨箔电极的制备方法及应用。
技术介绍
电化学剥离法是制备高质量石墨烯的有效方法，而且操作简单、耗时少、绿色环保。其原理是利用电场力的作用，使电解液离子插入到石墨层中，减弱石墨层间范德华力，通过反复的离子嵌入与脱出以及电解液分解产生的气泡将石墨层撑开，因此其制备的石墨烯片层缺陷少，能较好的保持本征石墨烯优良的理化特性。用于石墨烯电化学剥离的电解质主要有离子液体和无机酸溶液及其盐溶液(如HNO3、H2SO4、H3PO4、HClO4、(NH4)2SO4、LiClO4等)。但是，采用离子液体剥离石墨烯，产率较低、尺寸较小。无机酸溶液产生石墨烯质量更好，横向尺寸更大。阴离子插层-剥离是通过阳极氧化过程实现的，剥离的过程中石墨烯表面引入适量的含氧官能团，可以提高电极的赝电容。现有技术中的电化学剥离法，剥离后的石墨烯片或石墨层片与石墨基体分离得较为彻底，石墨烯会从石墨基底上完全脱落，因此制备得到的是高分散的石墨烯水溶液。所以，想要获得石墨烯基电极，还需要本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种石墨箔电极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/nS1、配制插层试剂：配制一定浓度的插层试剂A和插层试剂B，作为电解液待用；/nS2、组成电极体系：以石墨箔为工作电极，铂片和甘汞电极分别为对电极和参比电极，组成三电极体系；/nS3、第一步电化学剥离：将步骤S1得到的插层试剂A加入电解池，采用循环伏安技术对石墨箔进行第一步部分剥离，得到一次电化学剥离的石墨箔；/nS4、第二步电化学剥离：在插层试剂B的作用下，采用CVA技术对步骤S3得到的一次电化学剥离的石墨箔进行第二步深度部分剥离，得到深度部分剥离的石墨箔电极；/nS5、后处理：将步骤S4得到的深度部分剥离石墨箔电极清洗，备用；/n插...

【技术特征摘要】
1.一种石墨箔电极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1、配制插层试剂：配制一定浓度的插层试剂A和插层试剂B，作为电解液待用；
S2、组成电极体系：以石墨箔为工作电极，铂片和甘汞电极分别为对电极和参比电极，组成三电极体系；
S3、第一步电化学剥离：将步骤S1得到的插层试剂A加入电解池，采用循环伏安技术对石墨箔进行第一步部分剥离，得到一次电化学剥离的石墨箔；
S4、第二步电化学剥离：在插层试剂B的作用下，采用CVA技术对步骤S3得到的一次电化学剥离的石墨箔进行第二步深度部分剥离，得到深度部分剥离的石墨箔电极；
S5、后处理：将步骤S4得到的深度部分剥离石墨箔电极清洗，备用；
插层试剂A呈现弱碱性，其阴离子在电化学剥离下产生气体，使得石墨箔电极表面翘起；
插层试剂B包括两种化合物，一种化合物的阴离子完全插层到石墨层间，另一种化合物的阴离子部分插入到石墨层间，两种阴离子协同作用对石墨箔进行深度部分剥离。


2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶银坚，
申请(专利权)人：肇庆学院，
类型：发明
国别省市：广东;44