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本发明提供了提供一种用于改善处理器时钟信号端电磁辐射的电路结构及其形成方法，其中所述用于改善处理器时钟信号端电磁辐射的电路结构包括一处理器，所述处理器包括至少一时钟信号端、一功能模块、一脉冲宽度调制信号端口以及一IO端口，其中所述功能模块与...
该专利属于纳瓦电子(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过纳瓦电子(上海)有限公司授权不得商用。

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