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公开了半导体器件和用于制备晶片的方法。在实施例中，半导体器件包括具有能够支承至少一种III族氮化物的外延生长的第一表面的支承层、位于支承层的第一表面上的外延的基于III族氮化物的多层结构、以及位于支承层的第一表面处的寄生沟道抑制区。...
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