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本实用新型提供了一种绝缘栅双极型晶体管，包括：漂移区和存储层，自下向上依次形成于衬底中；以及，多个栅极结构，形成于所述衬底中，所述多个栅极结构包括若干第一栅极结构和若干第二栅极结构，所述第一栅极结构的深度介于所述漂移区的顶面和底面之间，所述...
该专利属于中芯集成电路制造(绍兴)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯集成电路制造(绍兴)有限公司授权不得商用。

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