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本发明公开一种温度和电压应力下SiC功率管阈值电压退化模型，具体步骤为：首先依据阿伦尼乌斯模型、逆幂律模型和退化时间模型建立温度应力、电压应力下SiC功率MOSFET阈值电压的单应力退化模型；然后利用三个径向基神经元将得到的两个单应力阈值电...
该专利属于南京航空航天大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京航空航天大学授权不得商用。

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