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本发明公开了一种新型InGaN基光阳极的制备方法，具体按照以下步骤实施：步骤1、在酸性溶液中，采用光电化学刻蚀技术对GaN多层结构进行恒电压刻蚀，制备出中孔GaN镜；步骤2、以中孔GaN镜为衬底，先采用MOCVD技术外延生长InGaN/Ga...
该专利属于西安工程大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安工程大学授权不得商用。

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