【技术实现步骤摘要】
一种新型InGaN基光阳极的制备方法
本专利技术属于半导体异质结制备
，具体涉及一种新型InGaN基光阳极的制备方法。
技术介绍
与传统光电极(如：Si，TiO2，ZnO等)相比，InGaN基薄膜材料在可见光区具有量子效率高、稳定性好等优点，引起广泛关注。然而，由于异质外延制备的InGaN层存在应力大、极化效应强等缺点，限制了其光解水效率。中孔GaN镜具有高的光反射效应、大的应力松弛、低的缺陷密度，以其为衬底，所生长InGaN基薄膜呈现出大的应力松弛、小的极化效应及高的晶体质量，有望显著提高InGaN基光阳极的转化效率。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种新型InGaN基光阳极的制备方法，能够制备出开启电压低、效率高及稳定性强的光阳极电极。本专利技术采用的技术方案是，一种新型InGaN基光阳极的制备方法，具体按照以下步骤实施：步骤1、在酸性溶液中，采用光电化学刻蚀技术对GaN多层结构进行恒电压刻蚀，制备出中孔GaN镜；步骤2、以中孔GaN镜为衬底，先采用MOCVD技术外...
【技术保护点】
1.一种新型InGaN基光阳极的制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：/n步骤1、在酸性溶液中，采用光电化学刻蚀技术对GaN多层结构进行恒电压刻蚀，制备出中孔GaN镜；/n步骤2、以中孔GaN镜为衬底，先采用MOCVD技术外延生长InGaN/GaN层，通过能带工程调制In组分，调制其带隙，然后采用电子束蒸发技术，蒸镀欧姆接触电极，制备出InGaN基光阳极。/n
【技术特征摘要】
1.一种新型InGaN基光阳极的制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：
步骤1、在酸性溶液中，采用光电化学刻蚀技术对GaN多层结构进行恒电压刻蚀，制备出中孔GaN镜；
步骤2、以中孔GaN镜为衬底，先采用MOCVD技术外延生长InGaN/GaN层，通过能带工程调制In组分，调制其带隙，然后采用电子束蒸发技术，蒸镀欧姆接触电极，制备出InGaN基光阳极。
2.根据权利要求1所述一种新型InGaN基光阳极的制备方法，其特征在于，步骤1所述刻蚀技术为光电化学刻蚀技术，所述酸性溶液是浓度为0.3-0.5mol/L的硫酸、硝酸或盐酸水溶液中的任意一种。
3.根据权利要求1所述一种新型InGaN基光阳极的制备方法，其特征在于，所述恒电压刻蚀的电压为5-50V，刻蚀时间范围为5-80min。
4.根据权利要求1所述一种新型InGaN基光阳极的制备方法，其特征在于，步骤1中所述GaN多层结构包括低掺杂GaN层和高掺杂GaN层，厚度均为50-68nm，低掺杂GaN层掺杂浓度为4.0×1015-1....
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