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本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体超短脉冲激光器及其制备方法，其不同之处在于，包括以下步骤：步骤1：选择一N型衬底；步骤2：在所述衬底上进行半导体双模量子点材料的外延生长；步骤3：采用标准半导体光电子芯片工艺进行激光器的光刻和刻蚀...
该专利属于江苏华兴激光科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏华兴激光科技有限公司授权不得商用。

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