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本发明提供一种MOS器件、反相器及其制备方法，MOS器件包括：半导体衬底；栅间介电层，位于半导体衬底的表面；栅极层，位于栅间介电层远离半导体衬底的表面；侧墙，位于栅间介电层与所述栅极层构成的叠层结构相对的两侧；栅极沟道层，位于半导体衬底内，...
该专利属于芯恩(青岛)集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芯恩(青岛)集成电路有限公司授权不得商用。

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