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本发明涉及自对准沟槽MOSFET接触件的系统和方法。实施例提供了包括半导体器件的系统和方法，该半导体器件通过在基板的表面上形成硬质掩膜柱、在每个硬质掩膜柱的第一侧面和每个硬质掩膜柱的第二侧面上形成牺牲间隔件而制成。可在相邻牺牲间隔件之间形成...
该专利属于半导体元件工业有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过半导体元件工业有限责任公司授权不得商用。

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