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本发明属于半导体技术领域，具体的说涉及一种低输入电容GaN基HEMT器件。本发明的主要方案是采用了分裂源场板结构。分裂源场板的设计可以大幅度地减小器件源极与栅极之间的相对面积，这可以使器件的输入电容得到了显著地降低。在器件的开关过程中，这样...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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