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通过局部基片应力方法制造的具有可控发散度的后向反射器技术
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下载通过局部基片应力方法制造的具有可控发散度的后向反射器的技术资料
文档序号:2672977
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一种产生畸变微光学元件阵列的方法,该方法包括: 提供基片,其具有相反的第一表面和第二表面,所述第一表面具有在其上形成的微光学元件阵列,和 在所述基片第二表面上的一个或多个局部区域进行可控加工,可控加工的程度足以使与加工位置相反的...
该专利属于艾利丹尼森公司所有,仅供学习研究参考,未经过艾利丹尼森公司授权不得商用。
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