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集成电路装置(100)包括具有至少为100Ω.cm的电阻率的半导体衬底(101)。电绝缘层(102)与所述半导体衬底(101)接触。所述电绝缘层(102)易于在所述半导体衬底(101)中诱导与所述电绝缘层(102)相接的寄生表面传导层。电路...
该专利属于法语天主教鲁汶大学所有，仅供学习研究参考，未经过法语天主教鲁汶大学授权不得商用。

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