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本发明公开了一种直写聚合物光波导的方法及其专用直写装置。首先在Ｓｉ衬底上旋涂折射率为１．４－１．６聚合物材料作为下包层，或者生长５－８μｍ的ＳｉＯ↓［２］作为下包层；再采用专用直写装置将折射率大于下包层的聚合物材料直写在下包层上，然后加热使...
该专利属于华中科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过华中科技大学授权不得商用。

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