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本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种态密度耦合半导体激光器，其不同之处在于，其包括衬底，以及在所述衬底上依次生长的缓冲层、下波导层、多周期量子阱层、多周期量子点层、上波导层、包层和接触层。本发明可以实现具有低阈值、波长易调控、高温度稳定性...
该专利属于江苏华兴激光科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏华兴激光科技有限公司授权不得商用。

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