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一种基于金属及二氧化钒的太赫兹开关制造技术
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文档序号:26692810
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本发明公开了一种基于金属及二氧化钒的太赫兹开关,其特征在于:包括由下向上依次层叠的截面为正方形的二氧化钒层和二氧化硅层;所述二氧化硅层的表面设有金属贴片层,所述的金属贴片层包括设置在二氧化硅层表面的方形环贴片,方形环贴片围合的二氧化硅层表面...
该专利属于浙江科技学院所有,仅供学习研究参考,未经过浙江科技学院授权不得商用。
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