一种基于金属及二氧化钒的太赫兹开关制造技术

本发明专利技术公开了一种基于金属及二氧化钒的太赫兹开关，其特征在于：包括由下向上依次层叠的截面为正方形的二氧化钒层和二氧化硅层；所述二氧化硅层的表面设有金属贴片层，所述的金属贴片层包括设置在二氧化硅层表面的方形环贴片，方形环贴片围合的二氧化硅层表面区域内设有十字形贴片。本发明专利技术对太赫兹波具有优越吸收特性或反射特性，可以实现对太赫兹波吸收或反射的调控。

【技术实现步骤摘要】
一种基于金属及二氧化钒的太赫兹开关
本专利技术涉及微波吸收器
，具体为一种基于金属及二氧化钒的太赫兹开关。
技术介绍
太赫兹(THz)波是位于微波和远红外线之间的电磁波，是宽带光的一种。近年来，随着超快激光技术的发展，使得太赫兹脉冲的产生有了稳定、可靠的激发光源，从此使得人们能够研究太赫兹。太赫兹波在社会高速发展的今天其优势极为显著，因此吸引了广泛的研究关注。超材料电磁吸波器，是一类能够有效吸收电磁波，并使其为后续过程所利用的元件，通过设计超材料电磁吸波器表面阵列单元结构，可达到对电磁波的精确操控。超材料电磁吸波器精密的微米级结构，使吸收器的尺寸更小，更易于集成，性能更加优越，这让它比传统吸收设备拥有更强的竞争力，其巨大的应用潜力使其受到全世界研究人员的关注。但超材料电磁吸波器通常都面临着有限的带宽或者复杂的设计和制造过程等缺陷，而且吸收频带带宽不足，吸收性能无法调整，不利于实际的应用。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种基于金属及二氧化钒的太赫兹开关。本专利技术对太赫兹波具有优越吸收特性或反射特性，可以实现本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于金属及二氧化钒的太赫兹开关，其特征在于：包括由下向上依次层叠的截面为正方形的二氧化钒层(1)和二氧化硅层(2)；所述二氧化硅层(2)的表面设有金属贴片层(3)，所述的金属贴片层(3)包括设置在二氧化硅层表面的方形环贴片(4)，方形环贴片(4)围合的二氧化硅层(2)表面区域内设有十字形贴片(5)；所述二氧化硅层(2)的厚度为10μm，宽度10μm，介电常数为3.9；所述二氧化钒层(1)的厚度为0.2μm，宽度10μm；所述方形环贴片(4)的厚度为0.2μm，方形环的外边长为4.25μm，内边长为3.25μm，宽度为0.5μm；所述十字形贴片(5)的厚度为0.2μm，长度为2.4μm，...

【技术特征摘要】
1.一种基于金属及二氧化钒的太赫兹开关，其特征在于：包括由下向上依次层叠的截面为正方形的二氧化钒层(1)和二氧化硅层(2)；所述二氧化硅层(2)的表面设有金属贴片层(3)，所述的金属贴片层(3)包括设置在二氧化硅层表面的方形环贴片(4)，方形环贴片(4)围合的二氧化硅层(2)表面区域内设有十字形贴片(5)；所述二氧化硅层(2)的厚度为10μm，宽度10μm，介电常数为3.9；所述二氧化钒层(1)的厚度为0.2μm，宽度10μm；所述方形环贴片(4)的厚度为0.2μm，方形环的外边长为4.25μm，内边长为3.25μm，宽度为0.5μm；所述十...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐弼军，闫梦瑶，孙志超，吴白瑞，程盼，吴震东，
申请(专利权)人：浙江科技学院，
类型：发明
国别省市：浙江;33