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本发明提供一种三维金属‑氧化物场效应晶体管及制备方法，制备方法包括：提供半导体衬底，其形成有浅沟槽隔离结构，于浅沟槽隔离结构两侧刻蚀出侧沟槽，侧沟槽由半导体衬底及浅沟槽隔离结构围成；于侧沟槽及半导体衬底表面形成栅介质层及栅电极层，并刻蚀栅电...
该专利属于芯恩(青岛)集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芯恩(青岛)集成电路有限公司授权不得商用。

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