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提供了一种竖直半导体装置及其制造方法。所述竖直半导体装置包括：共源半导体层，其位于衬底上；支撑层，其位于共源半导体层上；交替地堆叠在支撑层上的栅极和层间绝缘层；沟道图案，其在与衬底的上表面垂直的第一方向上延伸，同时穿过栅极和支撑层，支撑层的...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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