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本发明涉及一种存储器及其形成方法，所述存储器的形成方法包括：提供衬底；在所述衬底内形成自衬底内部向衬底表面依次层叠的漏极掺杂层、沟道掺杂层以及源极掺杂层；形成位于所述沟道掺杂层下方且至少部分位于所述漏极掺杂层内的位线，以及贯穿所述位线的第一...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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