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本发明公开了一种栅约束硅控整流器及其实现方法，在在现有的栅约束硅控整流器的P阱(70)与N阱(60)交界且位于所述N阱(60)处插入高浓度N型掺杂(22)，以降低所述N阱(60)与P阱(70)反向击穿电压，并提升该栅约束硅控整流器的维持电压...
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