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本发明公开了一种栅约束硅控整流器及其实现方法，将现有的新型栅约束硅控整流器中第二P型栅极(50)覆盖P阱的部分去掉，保留其覆盖N阱的部分，并将该第二P型栅极(50)和高浓度P型掺杂(20)相连并引出电极构成所述栅约束硅控整流器的阳极，本发明...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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