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本发明公开了一种半导体器件的制造方法，至少包括步骤：提供一半导体衬底，所述半导体衬底包括第一半导体有源区；形成一多晶硅层于所述半导体衬底上，所述多晶硅层上定义有栅极图形；形成图案化的光阻层于所述多晶硅层上，所述图案化的光阻层覆盖所述第一半导...
该专利属于晶芯成(北京)科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过晶芯成(北京)科技有限公司授权不得商用。

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